AIXTRON G10-GaN unterstützt BelGaN bei GaN-Geschäftsausbau

BelGaN, eine führende GaN (Galliumnitrid)-qualifizierte offene Halbleiter-Foundry in Europa, hat kürzlich den Produktionsstart der ersten Generation ihrer 650V eGaN-Technologie bekannt gegeben. Die Gen1-Plattform ist für die Anforderungen energieeffizienter Anwendungen im Hinblick auf Nachhaltigkeit und CO₂-Neutralität konzipiert.

Mit der G10-GaN wird die Bandbreite der Leistungschips mit Spannungen von 40V bis 1200V unter Verwendung von GaN auf Silizium (Si), GaN auf Silizium-auf-Isolator-Substraten (SOI) und auf neuartigen für GaN konzipierten Substraten weiter ausgebaut. Dies gilt sowohl für laterale als auch vertikale Leistungs-GaN-Produkte. Der Schwerpunkt dabei liegt auf hoher Leistung, einer Qualität, wie sie in der Automobilindustrie gefordert wird, Zuverlässigkeit, einer hohen Ausbeute und niedrigen Kosten.

"Die GaN-Epitaxie mittels MOCVD ist ein äußerst kritischer Prozess in jeder Power-GaN-Technologie. Damit ist es möglich, sowohl innovative Bauelementarchitekturen zu entwickeln, die eine höhere Leistung, Ausbeute und Qualität erzielen, als auch die Kosten für GaN-Produkte zu senken. Dies führt zu einem Paradigmenwechsel in der Leistungselektronik und eröffnet schnell wachsende Märkte unter anderem in den Bereichen E-Mobilität, Datenkommunikation, und bei der Energieumwandlung – auf dem Weg zu einer elektrifizierten, klimaneutralen Gesellschaft. Wir sind beeindruckt von der hohen Produktivität, der Homogenität und den niedrigen Betriebskosten der neuen G10-Plattform von AIXTRON. Wir schätzen den technologischen Vorsprung, die Vorreiterrolle und die kontinuierliche Innovation von AIXTRON sehr. Die Nähe zu AIXTRON inmitten des GaN Valley^TM Ökosystems und die Zusammenarbeit mit dem AIXTRON-Team ist für uns von entscheidender Bedeutung, um unsere Innovations- und Produktionsziele schnellstmöglich zu erreichen", sagt Dr. Marnix Tack, CTO und Vice President Business Development von BelGaN.

"Wir sind sehr stolz darauf, dass BelGaN sich für AIXTRON und unser neuestes, innovatives Powerhouse, die G10-GaN, entschieden hat, um den wichtigen strategischen Meilenstein der GaN-Epitaxie in seiner bestehenden GaN-Prozesslinie in Oudenaarde (Belgien) zu erreichen. Derzeit werden GaN-Leistungsbauelemente in einer Vielzahl von Anwendungen rasch eingeführt, und viele Kunden erweitern ihre Siliziumlinien um GaN-Kapazitäten. Wir freuen uns, dass die Technologie von AIXTRON diesen wichtigen Übergang ermöglicht", sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.

Die neue G10-GaN-Cluster-Lösung baut auf den Grundlagen von AIXTRONs derzeitiger Referenzanlage, der G5+ C, auf und hebt gleichzeitig jede einzelne Leistungskennzahl auf die nächste Stufe: Die neue Plattform liefert – im Verhältnis zur Fläche im Reinraum – eine doppelte Produktivität. Dabei ermöglicht sie gleichzeitig ein neues Maß an Homogenität, was AIXTRONs Kunden große Wettbewerbsvorteile verschafft: Sie profitieren von deutlich geringeren Betriebskosten, die um mehr als 25 Prozent geringer ausfallen als bei allen anderen derzeit auf dem Markt verfügbaren Systemen.  Die G10-GaN garantiert zudem den höchsten Durchsatz pro Quadratmeter im Reinraum und ist aktuell die einzige vollautomatische MOCVD-Anlage, die vollständig für Silizium-Fabs ausgelegt ist.

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten

Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und umwandlung, Kommunikation, Signal und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

About BelGaN

BelGaN is a leading automotive-qualified GaN (Gallium Nitride) open foundry in Oudenaarde (Belgium). The Company was founded early 2023, after a long history of being a research and manufacturing facility for IDMs and its products were focused in automotive, industrial and medical applications. BelGaN is serving customers in broad consumer-, industrial- and automotive- markets with innovative, high-quality and competitive GaN semiconductor technologies and manufacturing capacity, to innovate their products towards higher energy efficiency, smaller size/weight, and better cost towards a future electrified and carbon-neutral society.
BelGaN is also the founder of the GaN Valley^TM ecosystem, bringing together over 55 companies and research institutes active along the GaN value chain in Europe.

For further information on BelGaN please visit our website at www.belgan.com

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichteten Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

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